特許
J-GLOBAL ID：200903025002253664
バンプ形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115983
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049183
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】従来、多数個のバンプを形成する必要がある半導体装置に適用可能なバンプ形成方法は、何れも材料上の制約があったり、十分な体積を有し、高さのばらつきが少ないバンプが形成できないなど制約が多かった。【解決手段】本発明では、はんだボールと多数の貫通孔を有する治具を使用する。治具を半導体装置のパッド面に対し位置ぎめした状態で、はんだボールを貫通孔に充填し、さらに加圧してはんだボールをパッド上に固定し、その後リフローすることでバンプを形成する。
請求項（抜粋）：
導電性粒子を用い、半導体装置にバンプを形成するバンプ形成方法において、バンプ形成位置に貫通孔を有する治具と半導体装置とを位置合わせする工程と、前記治具上に導電性粒子を供給し、導電性粒子を前記治具の貫通孔に充填し、治具を半導体装置上から取り除くボール充填工程と、導電性粒子と半導体装置を加熱する加熱工程と、からなることを特徴としたバンプ形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/60
, B23K 1/00 330
, B23K 3/06
, H05K 3/34 505
H01L 21/92 604 H
, B23K 1/00 330 E
, B23K 3/06 H
, H05K 3/34 505 A
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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