特許
J-GLOBAL ID：200903025301111396

太陽電池の製造方法および太陽電池

発明者：
石川 直揮

石川 直揮 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について

, 
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-236050
公開番号（公開出願番号）：特開2006-054374
出願日： 2004年08月13日
公開日（公表日）： 2006年02月23日
要約：
【課題】高いアスペクト比を有し抵抗率が低い電極を形成することによって、変換効率の高い太陽電池を低コストで製造する方法、およびその方法で製造された太陽電池を提供する。【解決手段】導電性ペーストを使用して基板上に電極を形成する工程を有する太陽電池の製造方法において、少なくとも基板上に電極形成用の溝部を形成した後、該電極形成用溝部に前記導電性ペーストを減圧下で充填して電極を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性ペーストを使用して基板上に電極を形成する工程を有する太陽電池の製造方法において、少なくとも基板上に電極形成用の溝部を形成した後、該電極形成用溝部に前記導電性ペーストを減圧下で充填して電極を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 H
Fターム (8件)：
5F051AA02 ,  5F051CB20 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051FA19 ,  5F051HA01
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM