レジスト組成物、該レジスト組成物に用いる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-042690
公開番号（公開出願番号）：特開2007-094356
出願日： 2006年02月20日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：

【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いたパターン形成方法であり、感度及びアウトガス特性に優れたレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】一般式(I)で表されるスルホニウム塩(A)を含有することを特徴とするレジスト組成物、該レジスト組成物に用いる化合物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法。【化1】一般式(I)中、R1〜R9、Z、Xn-、は所定の原子、基、アニオンを表し、n、mは所定の数を表す。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一般式(I)で表されるスルホニウム塩(A)を含有することを特徴とするレジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/004 , G03F 7/039 , G03F 7/038 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/004 503A , G03F7/039 601 , G03F7/038 601 , H01L21/30 502R

Fターム (15件)：

2H025AB15 , 2H025AB16 , 2H025AB17 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE07 , 2H025BG00 , 2H025CB52 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA01

引用特許：

出願人引用 (16件)

米国特許第6548221号明細書
欧州特許第1480078号明細書
米国特許第6680157号明細書

全件表示

審査官引用 (10件)

エネルギー線照射によりカチオンまたは酸を発生するフルオロアルキルオニウム塩型のカチオンまたは酸発生剤
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-068241 出願人：ダイキン工業株式会社
重合性組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-034420 出願人：東洋インキ製造株式会社
スルホニウム塩、これらの製造方法および放射線硬化性系のための光開始剤としてのこれらの使用
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-513963 出願人：ランベルティソシエタペルアチオニ

全件表示

前のページに戻る