特許
J-GLOBAL ID：200903025515480240

メサ型圧電振動素子の製造方法

発明者：
山下 剛

山下 剛 について


出願人/特許権者：
エプソントヨコム株式会社

エプソントヨコム株式会社 について


代理人 (2件)： 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-017427
公開番号（公開出願番号）：特開2008-187322
出願日： 2007年01月29日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：
【課題】メサ型圧電振動素子の製造工程において、メサ段部の端面に発生する逆テーパによりリード電極が断線することを防止する。【解決手段】平行平板からなる圧電基板の両主面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、金属膜の表面上にフォトレジスト膜を塗布する塗布工程と、フォトレジスト膜を所定のフォトマスクを介して選択的に露光してフォトレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、フォトレジストパターンを保護膜として金属膜をエッチングして金属膜パターンを形成する金属膜パターン形成工程と、金属膜パターンとフォトレジストパターンとを保護膜として圧電基板をエッチングしてメサ段部を形成するメサ段部形成工程と、圧電基板上の金属膜パターン及びフォトレジストパターンをエッチングする第1のエッチング工程と、第1のエッチング工程により形成された圧電振動片をエッチングする第2のエッチング工程とを含むようにした。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
圧電基板の両主面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、 前記金属膜の表面上にフォトレジスト膜を塗布する塗布工程と、 前記フォトレジスト膜を所定のフォトマスクを介して選択的に露光、現像してフォトレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、 前記フォトレジストパターンに被覆されていない前記金属膜をエッチングして金属膜パターンを形成する金属膜パターン形成工程と、 前記金属膜パターン及び/または前記フォトレジストパターンを保護膜として前記圧電基板をエッチングしてメサ段部を形成するメサ段部形成工程と、 前記保護膜をエッチングする第1のエッチング工程と、 前記第1のエッチング工程により形成された圧電振動片をエッチングする第2のエッチング工程と、を含むことを特徴とするメサ型圧電振動素子の製造方法。
IPC (4件)：
H03H 3/02 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18
FI (5件)：
H03H3/02 B ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101A
Fターム (5件)：
5J108BB02 ,  5J108BB08 ,  5J108KK01 ,  5J108KK07 ,  5J108MM11
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (8件)
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