半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢作和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-318679
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324626
出願日： 2005年11月01日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：

【課題】必要とする任意の耐圧を確保することができ、定常状態だけでなく、サージが入った場合においても回路破壊することのない半導体装置であって、さらには、高い分圧抵抗が付加されていても回路破壊せず、十分なスイッチング速度を確保することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁分離されたn個のトランジスタ素子Tr1〜Tr9が、グランド電位と所定電位との間で、順次直列接続されてなり、第1段トランジスタ素子Tr1におけるゲート端子を入力端子とし、第1段トランジスタ素子Tr1を除いた各段のトランジスタ素子Tr2〜Tr9におけるゲート端子が、GND電位と所定電位との間で直列接続された各段の並列RC素子RC1〜RC9の間に、それぞれ、順次接続されてなり、第n段トランジスタ素子Tr9における所定電位側の端子から、出力が取り出されてなる半導体装置130とする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

互いに絶縁分離されたn個(n≧2)のトランジスタ素子が、グランド(GND)電位と所定電位との間で、GND電位側を第1段、所定電位側を第n段として、順次直列接続されてなり、前記第1段トランジスタ素子におけるゲート端子を入力端子とし、 n個の抵抗素子が、前記GND電位と前記所定電位との間で、GND電位側を第1段、所定電位側を第n段として、順次直列接続されてなり、前記第1段トランジスタ素子を除いた各段のトランジスタ素子におけるゲート端子が、前記直列接続された各段の抵抗素子の間に、それぞれ、順次接続されてなり、前記第n段トランジスタ素子における前記所定電位側の端子から、出力が取り出されてなる半導体装置であって、前記n個の抵抗素子において、 iを1以上で(n-1)以下の任意の整数としたとき、第i段抵抗素子の抵抗値が、第(i+1)段抵抗素子の抵抗値より、小さく設定されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/06 , H01L 21/823 , H01L 27/08

FI (3件)：

H01L27/04 H , H01L27/06 102A , H01L27/08 331E

Fターム (40件)：

5F038AC03 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AC14 , 5F038AR09 , 5F038AR21 , 5F038AZ03 , 5F038BB05 , 5F038BH02 , 5F038BH03 , 5F038BH07 , 5F038BH13 , 5F038BH15 , 5F038CD16 , 5F038DF01 , 5F038EZ06 , 5F038EZ13 , 5F038EZ20 , 5F048AA02 , 5F048AA05 , 5F048AB07 , 5F048AB08 , 5F048AB10 , 5F048AC10 , 5F048BA12 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB20 , 5F048BC07 , 5F048BC18 , 5F048BE03 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048CC04 , 5F048CC05 , 5F048CC09 , 5F048CC13 , 5F048CC15 , 5F048CC18

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3384399号公報

審査官引用 (8件)

特開平2-112672
高電圧スイッチ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-232125 出願人：オリジン電気株式会社
高電圧スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-170553 出願人：三菱電機株式会社

全件表示

前のページに戻る