特許
J-GLOBAL ID：200903025789483211
カーボンナノチューブの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-095271
公開番号（公開出願番号）：特開2009-249190
出願日： 2008年04月01日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：
【課題】高品質なカーボンナノチューブを、気相成長法により工業的規模で製造すること。【解決手段】基板に処理を施すための処理室を有するチューブ状のチャンバと、前記基板に処理を施すためのガスを処理室に導入するための気体導入手段と、前記処理室内の気体を排気する排気手段と、前記処理室に複数の基板をチャージした治具を搬入および搬出するための基板搬入出手段と、前記チャンバの周囲に設けられ、処理室内の基板の温度を調整するヒータと、を有する化学気相成長装置を用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板に処理を施すための処理室を有するチューブ状のチャンバと、前記基板に処理を施すためのガスを処理室に導入するための気体導入手段と、前記処理室内の気体を排気する排気手段と、前記処理室に複数の基板をチャージした治具を搬入および搬出するための基板搬入出手段と、前記チャンバの周囲に設けられ、処理室内の基板の温度を調整するヒータと、を有する化学気相成長装置を用いて、
前記複数の基板上にカーボンナノチューブを製造する方法であって、
1)平面を有する基板の前記平面上に、カーボンナノチューブ気相成長のための触媒が配置された基板の複数を準備するステップ、
2)前記複数の基板を互いに離間させて治具にチャージして、前記治具を処理室に搬入するステップ、
3)前記処理室内の気体を、前記排気手段を通して排気して、前記処理室内を大気圧よりも低い気圧にするステップ、
4)前記処理室内に、還元性ガスおよび不活性ガスを導入して、前記ヒータで前記基板の温度を、カーボンナノチューブ生成温度に上昇させるステップ、
5)前記処理室に、カーボンナノチューブ生成のための原料ガスを導入して、前記基板の平面上にカーボンナノチューブを生成するステップ、
6)前記カーボンナノチューブの生成後、前記基板の温度を前記カーボンナノチューブが空気中の酸素で酸化されない温度に下降させるステップ、
7)前記処理室内の圧力を大気圧にするステップ、および
8)前記処理室から、前記複数の基板をチャージした治具を搬出するステップ、
を含む、カーボンナノチューブの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
4G146AA12
, 4G146AD30
, 4G146BA11
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BA49
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC27
, 4G146BC33A
, 4G146BC38A
, 4G146BC42
, 4G146BC44
, 4G146BC48
, 4G146DA03
, 4G146DA22
, 4G146DA40
, 4G146DA45
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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引用文献：
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