減圧蒸着装置及び減圧蒸着方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池田憲保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-090481
公開番号（公開出願番号）：特開2005-272969
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：

【課題】高集積度及び超微細加工が要求される半導体装置等に使用される蒸着薄膜では、当該蒸着薄膜に対する汚染物質、特に、有機物の吸着が問題となっている。【解決手段】チャンバ内のガス圧力を粘性流域に保った場合、分子流域に保った場合に比較して、有機物の吸着が著しく低くなる現象を見出し、この現象に基づいて、蒸着薄膜形成時には、ガス圧力を分子流域にし、非蒸着時には、ガス圧力を粘性流域にするように、ガス圧力を制御することにより、有機物汚染の少なく蒸着薄膜を形成することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

チャンバ内に蒸着皿を有する蒸着装置において、蒸着膜形成時には蒸着膜形成雰囲気の圧力が分子流域のガス圧力になされ、蒸着膜非形成時の少なくとも一定期間には雰囲気圧力が粘性流域のガス圧力になされることを特徴とする減圧蒸着装置。

IPC (3件)：

C23C14/00 , H05B33/10 , H05B33/14

FI (3件)：

C23C14/00 B , H05B33/10 , H05B33/14 A

Fターム (14件)：

3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4K029AA04 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA62 , 4K029CA01 , 4K029DA02 , 4K029DA04 , 4K029DB06 , 4K029DB17 , 4K029EA03 , 4K029EA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

分子性汚染物質の蒸着装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-334286 出願人：三星電子株式会社
真空排気装置、半導体製造装置及び真空処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-126271 出願人：大見忠弘

審査官引用 (6件)

蒸着装置、有機蒸発源、有機薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-342649 出願人：日本真空技術株式会社
薄膜形成方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-242188 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-009461

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