特許
J-GLOBAL ID:200903025900906097

アンテナ装置及びプラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石島 茂男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-303358
公開番号(公開出願番号):特開2001-126899
出願日: 1999年10月26日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【課題】大面積の基板上に薄膜を成膜するプラズマCVD装置に関する。【解決手段】本発明ではアンテナ線31〜34を有し、各アンテナ線31〜34は、アンテナ線61〜64とシールド管51〜54と保護管41〜44を有している。シールド管51〜54の内部にH2ガスを導入した状態で、アンテナ線61〜64にマイクロ波を伝達させると、保護管41〜44との貫通孔141〜144から電波が放出され、同じ貫通孔141〜144から噴出するH2ガスがプラズマ化する。その近傍に設けられた原料ガス導入管101〜104から原料ガスが噴出されると、プラズマにより分解され、近傍に配置された基板221〜224の表面に気相成長して成膜される。アンテナ線31〜34は等間隔に配置されており、各アンテナ線31〜34で生成されるプラズマは重なり合い、基板表面でのプラズマ密度が均一になるので、均一な薄膜を基板表面に成膜することができる。
請求項(抜粋):
導電性のシールド筒と、前記シールド筒の内部に、前記シールド筒と非接触の状態で挿入された導線とを有し、前記シールド筒を接地した状態で、前記導線に高周波電圧を印加できるようにされたアンテナ装置であって、前記シールド筒には貫通孔が複数設けられ、前記シールド筒の内部にガスを導入すると、前記導入されたガスを前記貫通孔から噴出させることができるように構成されたことを特徴とするアンテナ装置。
IPC (3件):
H05H 1/46 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205
FI (3件):
H05H 1/46 M ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/205
Fターム (21件):
4K030BA29 ,  4K030CA06 ,  4K030EA06 ,  4K030FA04 ,  4K030KA12 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DP13 ,  5F045EB02 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EH02 ,  5F045EH04 ,  5F045EH14
引用特許:
審査官引用 (10件)
  • 特開昭63-114974
  • プラズマCVD装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-128665   出願人:三菱重工業株式会社
  • プラズマ処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-291712   出願人:アネルバ株式会社
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