特許

J-GLOBAL ID：200903025930668271

p型熱電材料及びその製造方法

発明者： 山名 啓太 ,  木下 恭一 ,  谷澤 元治 ,  戸高 義一 ,  梅本 実 ,  丹羽 陽亮 ,  土谷 浩一 ,  川合 貴大
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機 ,  国立大学法人豊橋技術科学大学
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-238254
公開番号（公開出願番号）：特開2009-094497
出願日： 2008年09月17日
公開日（公表日）： 2009年04月30日
要約：

【課題】資源的に豊富な材料で構成されるとともに、軽量なMg2Si系のp型熱電材料を提供する。【解決手段】p型熱電材料は、Naが添加されたMg2Siから成り、Na原子の置換がMg2SiのMgサイトで行われている。p型熱電材料のNaの添加量は0.5at%より多く4.2at%以下である。p型熱電材料は、Mg粉末、Si粉末及び粒塊状のNaをそれぞれ所定の割合で混合した混合物をMgの融点以上、かつMg2Siの融点未満に温度を調整した雰囲気に保持して、液相のMg及びNaと固相のMg2Siが共存する固相-液相反応法を用いて製造される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Naが添加されたMg2Siから成り、Na原子の置換がMg2SiのMgサイトで行われていることを特徴とするp型熱電材料。

IPC (5件)：

H01L 35/14 ,  H01L 35/34 ,  C22C 23/00 ,  B22F 3/14 ,  B22F 3/10

FI (5件)：

H01L35/14 ,  H01L35/34 ,  C22C23/00 ,  B22F3/14 101B ,  B22F3/10 101

Fターム (8件)：

4K018AA40 ,  4K018BA07 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018DA18 ,  4K018DA21 ,  4K018HA10 ,  4K018KA32

引用特許：

出願人引用 (3件)

• マグネシウムシリサイドの合成方法および熱電素子モジュールの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-171339   出願人：静岡大学長
• 熱電半導体素子、熱電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-086904   出願人：アイシン精機株式会社
• 熱電材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-168515   出願人：東京窯業株式会社

審査官引用 (3件)

• 熱電半導体素子、熱電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-086904   出願人：アイシン精機株式会社
• 直接的熱電エネルギー変換のための素子を製造する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-527811   出願人：ニコラウミッシェルシー
• Mg-Si系熱電材料及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-091091   出願人：大同特殊鋼株式会社