半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：開口宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-075743
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269584
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】特に光ファイバを使用した薄型の半導体レーザ装置において、前方及び後方からの出力光の効率的な利用を実現する。【解決手段】シリコン基板上に半導体レーザ素子、モニタPD素子とが実装され、かつ前記半導体レーザ素子の前面に光ファイバを実装した半導体レーザ装置において、少なくとも前記半導体レーザ素子、モニタフォトダイオード、及び光ファイバを、その屈折率が空気の屈折率以上で光ファイバの屈折率以下である透明樹脂で封入する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に半導体レーザ素子と、モニタフォトダイオード素子とが実装され、かつ前記半導体レーザ素子の前面に光ファイバを実装した半導体レーザ装置において、少なくとも前記半導体レーザ素子、モニタフォトダイオード、及び光ファイバを、その屈折率が空気の屈折率以上で光ファイバの屈折率以下である透明樹脂により封入してなることを特徴とする半導体レーザ装置装。

Fターム (5件)：

5F073FA02 , 5F073FA07 , 5F073FA13 , 5F073FA16 , 5F073FA29

引用特許：

審査官引用 (31件)

光半導体装置モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-275916 出願人：日本電信電話株式会社
光モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-311948 出願人：株式会社日立製作所
半導体レーザモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-310368 出願人：株式会社日立製作所

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