半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186990
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015460
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】エロージョンの増加を招くことなく、ダマシン配線を形成すること。【解決手段】ダマシン配線となるCu膜25を配線溝23を埋め込むように層間絶縁膜22上に堆積し、次に層間絶縁膜22が露出しないようにCu膜25の表面をCMP法により平坦にし、残ったCu膜25の膜厚から研磨終了時間を求め、その時間だけさらにCu膜25をCMP法により研磨する。

請求項（抜粋）：

表面に溝を有する下地を形成する工程と、前記下地上に埋込み膜を形成し、前記溝内を前記埋込み膜で埋め込む工程と、CMP法により前記埋込み膜の研磨を行う第1の研磨工程であって、前記下地が露出する前に前記研磨を停止する第1の研磨工程と、CMP法により前記埋込み膜の研磨を行う第2の研磨工程であって、前記溝外の前記埋込み膜が除去されるまで前記研磨を行う第2の研磨工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (3件)：

H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 X , H01L 21/304 622 S

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体基板の研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-158039 出願人：新日本製鐵株式会社
研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-157385 出願人：株式会社東芝
研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-290187 出願人：株式会社東芝

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