半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314518
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074351
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】従来のBPSG膜を用いた層間絶縁膜に比べて低温での成膜が可能であり、平坦性に優れ、かつ信頼性の高いコンタクト構造の形成が可能な、半導体基板上の層間絶縁膜を含む半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】層間絶縁膜I1を形成する工程は、少なくとも以下の工程(a)〜(e)を含む。(a)水素を含むシリコン化合物と過酸化水素とを化学気相成長法によって反応させて第1のシリコン酸化膜22を形成する工程、(b)シリコン化合物、酸素および酸素を含む化合物の少なくとも1種、および不純物を含む化合物を化学気相成長法によって反応させて多孔性の第2のシリコン酸化膜24を形成する工程、(c)600〜850°Cの温度でアニール処理を行い、第1および第2のシリコン酸化膜を緻密化する工程、(d)シリコン化合物、および酸素および酸素を含む化合物の少なくとも1種を化学気相成長法によって反応させて第3のシリコン酸化膜26を形成する工程、および(e)前記第3のシリコン酸化膜を化学機械的研磨によって平坦化する工程。

請求項（抜粋）：

素子を含む半導体基板、前記半導体基板の上に形成された層間絶縁膜、前記層間絶縁膜に形成されたスルーホール、前記層間絶縁膜および前記スルーホールの表面に形成されたバリア層、および前記バリア層の上に形成された導電膜を含み、前記層間絶縁膜は、シリコン化合物と過酸化水素との重縮合反応によって形成された第1のシリコン酸化膜、前記第1のシリコン酸化膜の上に形成され、不純物を含有する第2のシリコン酸化膜、および前記第2のシリコン酸化膜の上に形成され、化学機械的研磨により平坦化された第3のシリコン酸化膜、を含む半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/304 321 , H01L 21/316 , H01L 21/3205

FI (7件)：

H01L 21/90 M , H01L 21/28 V , H01L 21/304 321 S , H01L 21/316 X , H01L 21/88 N , H01L 21/90 P , H01L 21/90 B

引用特許：

審査官引用 (17件)

半導体装置の多層配線及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-031567 出願人：株式会社リコー
半導体装置の層間絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-057849 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-164068 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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