特許
J-GLOBAL ID：200903026495427824

酸化膜形成方法及びその装置

発明者：
亀田 直人

亀田 直人 について

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西口 哲也

西口 哲也 について

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野中 秀彦

野中 秀彦 について

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一村 信吾

一村 信吾 について


出願人/特許権者：
株式会社明電舎

株式会社明電舎 について

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独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (2件)： 橋本 剛 ,  鵜澤 英久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-294942
公開番号（公開出願番号）：特開2009-123849
出願日： 2007年11月13日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：
【課題】酸化プロセス系の安定性を監視しながら基板の酸化膜を形成させる。【解決手段】オゾン供給装置11からオゾンを含んだガスを酸化処理チャンバ12内の基板に供給して前記基板の表面に酸化膜を形成させるにあたり真空ポンプ14はオゾン濃度計13によって測定された前記基板に供された後のガスのオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき前記オゾンを含んだガスの供給流量を制御する。前記基板の加熱温度はオゾン濃度計13によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき制御される。前記基板の表面には紫外光領域の光が照射される。前記基板に照射する光の強度はオゾン濃度計13によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき制御される。前記基板の表面に紫外光領域の光をパルス照射する場合、オゾン濃度計13によって測定されたオゾン濃度またはオゾン分圧に基づき前記パスル照射の繰り返し周波数が制御される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
オゾンを含んだガスを基板に供給して基板の表面に酸化膜を形成させるにあたり、前記基板に供された後のガスのオゾン濃度もしくはオゾン分圧に基づき前記基板へのオゾンを含んだガスの供給流量を制御すること を特徴とする酸化膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/42
FI (3件)：
H01L21/31 F ,  H01L21/316 A ,  C23C16/42
Fターム (19件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030FA08 ,  4K030HA15 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045BB01 ,  5F045EE08 ,  5F045EE12 ,  5F045EE14 ,  5F045GB07 ,  5F058BF62
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 酸化膜形成方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-243242   出願人：株式会社明電舎, 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 特開昭52-086990
  • 内部の水分レベルを制御するための半導体処理装置および方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-306348   出願人：レール・リキード-ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
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審査官引用 (1件)

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