特許

J-GLOBAL ID：200903026575173718

積層強磁性構造体、磁気抵抗デバイス、及び積層強磁性構造体の製造方法

発明者： 福本 能之 ,  五十嵐 忠二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-361431
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261637
出願日： 2005年12月15日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】積層強磁性構造体を構成する強磁性層の間に、充分に大きな交換結合を作用させる。【解決手段】本発明による積層強磁性構造体は、基板(1)の上方に位置する第1強磁性層(11)と、第1強磁性層(11)の上方に位置する第2強磁性層(13)と、第1強磁性層(11)と第2強磁性層(13)との間に設けられた第1非磁性層(12)とを具備している。第1強磁性層(11)は、その上面において第1非磁性層(12)に接しており、且つ、第1強磁性層(11)は、その上に形成された膜の結晶配向性を高める作用を有する第1配向制御バッファ(22)を備えている。【選択図】図5A

請求項（抜粋）：

基板の上方に位置する第1強磁性層と、 前記第1強磁性層の上方に位置する第2強磁性層と、 前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に設けられた第1非磁性層 とを具備し、 前記第1強磁性層は、その上面において第1非磁性層に接しており、 前記第1強磁性層は、その上に形成された膜の結晶配向性を高める作用を有する第1配向制御バッファを備える 積層強磁性構造体。

IPC (9件)：

H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/12 ,  H01L 43/10 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/16

FI (9件)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/12 ,  H01L43/10 ,  G11B5/39 ,  H01F10/14 ,  H01F10/30 ,  H01F10/16 ,  H01L43/08 M

Fターム (12件)：

5D034BA04 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許6、545、906号公報
  
• 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-248002   出願人：ソニー株式会社
• MTJ素子、MTJ素子アレイ、ならびにMTJ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-044583   出願人：ヘッドウェイテクノロジーズインコーポレイテッド

審査官引用 (5件)

• 磁気検出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182289   出願人：アルプス電気株式会社
• 磁気記録素子及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-104480   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-364350   出願人：日本電気株式会社
• 磁気検出素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-133975   出願人：アルプス電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-010763   出願人：ソニー株式会社