特許
J-GLOBAL ID:200903026622637922
メッキ方法及びメッキ前処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長濱 範明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-365121
公開番号(公開出願番号):特開2005-126789
出願日: 2003年10月24日
公開日(公表日): 2005年05月19日
要約:
【課題】 炭素原子含有基材の表面に従来のような別個のメッキ前処理を施すことなく密着性が高くかつ表面平滑性に優れた金属膜を直接的に形成することが可能なメッキ方法、並びに、メッキ前処理により活性化された基材表面の活性状態が長時間保持され、しかも基材表面を粗面化することなく密着性が高くかつ表面平滑性に優れた金属膜を形成することを可能とするメッキ前処理方法及びその工程を含むメッキ方法を提供すること。【解決手段】 炭素原子含有材料からなる基材の表面に波長50nm〜100nmの真空紫外光を照射しつつ金属の飛散粒子を堆積させて前記基材上に金属膜を形成せしめるメッキ方法、並びに、前記基材の表面に形成された前記金属膜の上に無電解メッキ法及び/又は電気メッキ法により更なる金属膜を形成せしめるメッキ方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
炭素原子含有材料からなる基材の表面に波長50nm〜100nmの真空紫外光を照射しつつ金属の飛散粒子を堆積させて前記基材上に金属膜を形成せしめることを特徴とするメッキ方法。
IPC (3件):
C23C18/20
, C23C14/28
, C23C28/02
FI (3件):
C23C18/20 Z
, C23C14/28
, C23C28/02
Fターム (25件):
4K022AA11
, 4K022AA15
, 4K022BA08
, 4K022CA17
, 4K022CA20
, 4K022CA21
, 4K022DA01
, 4K029AA11
, 4K029BA02
, 4K029BA03
, 4K029BA08
, 4K029BA17
, 4K029BA35
, 4K029DB03
, 4K029DB20
, 4K029EA00
, 4K044AA16
, 4K044BA06
, 4K044BA08
, 4K044BA10
, 4K044BB03
, 4K044BC05
, 4K044CA13
, 4K044CA18
, 4K044CA53
引用特許: