特許
J-GLOBAL ID：200903026627350087

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者：
奥峰 徹也

奥峰 徹也 について

, 
中野 雅行

中野 雅行 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-285147
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094056
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 限界加工寸法よりも小さい配線を形成し、ゲート電極の空乏化,リーク電流を無くし、ゲート電極の低抵抗化を図る。【解決手段】 多結晶シリコン膜34上にシリコン酸化膜を約400°Cで堆積し、所望のゲート電極幅よりも0.03μm大きい酸化膜パターン35を形成する。そして、850°Cで30分間の熱処理を行って、酸化膜パターン35を0.03μmだけ縮ませて所望のゲート電極幅の酸化膜パターン36を形成する。以下、酸化膜パターン36をマスクとして多結晶シリコン膜34をエッチングしてゲート電極37を得る。こうして、限界加工寸法よりも狭いゲート電極37を形成する。また、ゲート側壁絶縁膜形成時に酸化膜パターン36は収縮せず、ゲート側壁絶縁膜に薄い部分はできない。したがって、ゲート電極の空乏化,リーク電流を無くし、ゲート電極の低抵抗化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
成膜された配線材料上に配線形成用のマスクとなる絶縁膜を堆積する工程と、上記絶縁膜をパターニングして、所望の線幅よりも所定値だけ大きい線幅の絶縁膜パターンを形成する工程と、上記絶縁膜パターンをアニールする工程と、上記アニール後の絶縁膜パターンをマスクとして配線をパターニングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/265 604 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 29/43 ,  H01L 21/336
FI (9件)：
H01L 21/265 604 M ,  H01L 21/283 G ,  H01L 21/283 W ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/88 D ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 S
Fターム (90件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD43 ,  4M104DD63 ,  4M104DD66 ,  4M104DD78 ,  4M104DD88 ,  4M104DD91 ,  4M104DD92 ,  4M104EE05 ,  4M104EE15 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  5F004AA16 ,  5F004DB02 ,  5F004DB03 ,  5F004EA06 ,  5F004EA12 ,  5F004EB02 ,  5F004FA01 ,  5F033HH03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ05 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ27 ,  5F033KK01 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033NN03 ,  5F033PP09 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ79 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR13 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS12 ,  5F033SS22 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033WW01 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX03 ,  5F033XX10 ,  5F040DA02 ,  5F040DA22 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC08 ,  5F040EC09 ,  5F040EC13 ,  5F040EC28 ,  5F040EF01 ,  5F040EH03 ,  5F040EK01 ,  5F040FA03 ,  5F040FC19 ,  5F040FC21
引用特許：
審査官引用 (7件)
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