特許
J-GLOBAL ID：200903026658063981
面発光レーザ素子、それを備えた面発光レーザアレイ、面発光レーザアレイを備えた画像形成装置、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光ピックアップ装置、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光送信モジュール、面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光送受信モジュールおよび面発光レーザ素子または面発光レーザアレイを備えた光通信システム。
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-250384
公開番号（公開出願番号）：特開2007-235090
出願日： 2006年09月15日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
【課題】高出力化が可能な面発光レーザ素子を提供する。【解決手段】面発光レーザ素子は、共振器スペーサー層103,105と、活性層104とを備える。活性層104は、共振器スペーサー103,105間に共振器スペーサー層103,105に接して形成される。共振器スペーサー層103は、格子整合するGa0.5In0.5Pからなる。活性層104は、GaInPAsからなる井戸層104B,104D,104Fと、Ga0.5In0.5Pからなる障壁層104A,104C,104E,104Gとが交互に積層された量子井戸構造からなる。共振器スペーサー層105は、(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ヒートシンクに接続された基板と、
半導体分布ブラッグ反射器からなり、前記基板上に形成された第1の反射層と、
前記第1の反射層に接して形成された第1の共振器スペーサー層と、
前記第1の共振器スペーサー層に接して形成された活性層と、
前記活性層に接して形成された第2の共振器スペーサー層と、
前記半導体分布ブラッグ反射器からなり、前記第2の共振器スペーサー層に接して形成された第2の反射層とを備え、
前記第1の共振器スペーサー層を構成する少なくとも1つの半導体材料は、前記第2の共振器スペーサー層を構成する半導体材料の熱伝導率よりも大きい、面発光レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC33
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AD02
, 5F173AF04
, 5F173AF96
, 5F173AF97
, 5F173AH06
, 5F173AP05
, 5F173AP33
, 5F173AR14
, 5F173MA01
, 5F173MA05
, 5F173MA06
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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