特許
J-GLOBAL ID：200903026767245020
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-323694
公開番号（公開出願番号）：特開2008-140857
出願日： 2006年11月30日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】3次元実装の実現及び電気的接続信頼性の向上を図ることのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】シリコンカーバイド素子11のアルミニウム電極12に、ボンディングステージ30の設定温度の範囲を100°C以上460°C以下にして、ボールバンプ法により金バンプ26を形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
シリコンカーバイド素子のアルミニウム電極に、ボンディングステージの設定温度範囲を100°C以上460°C以下にして、ボールバンプ法により金バンプを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/92 604J
, H01L21/92 604R
, H01L23/48 G
