特許

J-GLOBAL ID：200903026968732190

光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像システム

発明者： 渡邉 高典 ,  板野 哲也 ,  高橋 秀和 ,  滝本 俊介 ,  虻川 浩太郎 ,  成瀬 裕章 ,  西村 茂 ,  板橋 政次
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-210531
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041726
出願日： 2006年08月02日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：

【課題】 製造工程を増加させることなく、ホットキャリア特性が向上した光電変換装置を提供する。【解決手段】 複数の光電変換素子と該光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための第1のMOSトランジスタとが配された光電変換領域と、前記第1のMOSトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の増幅の少なくとも一方を行なう第2のMOSトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、前記第1のMOSトランジスタのドレインの不純物濃度は、前記第2のMOSトランジスタのドレインの不純物濃度よりも低いことを特徴とする。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

複数の光電変換素子と該光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための第1のMOSトランジスタとが配された光電変換領域と、 前記第1のMOSトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の増幅の少なくとも一方を行なう第2のMOSトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、 前記第1のMOSトランジスタのドレインの不純物濃度は、前記第2のMOSトランジスタのドレインの不純物濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L27/14 A ,  H01L31/10 G ,  H04N5/335 U ,  H04N5/335 E

Fターム (31件)：

4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA34 ,  4M118CB13 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  5C024CX32 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA05 ,  5F049NB05 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049QA03 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ04 ,  5F049UA20 ,  5F049WA03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法および固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-087384   出願人：株式会社東芝
• 固体撮像装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-235826   出願人：松下電子工業株式会社

審査官引用 (6件)

• 固体撮像装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-335484   出願人：富士通株式会社
• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-209681   出願人：富士通株式会社
• 固体撮像素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-172512   出願人：ソニー株式会社
• 撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-105289   出願人：キヤノン株式会社
• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-336252   出願人：ソニー株式会社
• 固体撮像装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-014535   出願人：日本電気株式会社