特許
J-GLOBAL ID：200903027096441941
高性能の窒化ガリウム系発光素子のための薄膜電極およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
八田 幹雄
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
, 宇谷 勝幸
, 藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-205218
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033212
出願日： 2004年07月12日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】 高性能の窒化ガリウム(GaN)系発光素子のための薄膜電極およびその製造方法を提供する。【解決手段】 p型GaN半導体層上に順次に積層された第1電極層および第2電極層を含むp型GaN半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第1電極層は、p型熱電酸化物を形成できるNi、CuもしくはCo系の合金または固溶体を含むか、またはAl、GaおよびInのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたNi酸化物を含みうる。前記第2電極層は、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Sc、Mg、Zn、V、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Ca、Na、Sb、Li、In、Sn、Al、Ni、CuおよびCoよりなる群のうち選択された少なくとも何れか一つを含みうる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p型GaN半導体層上に積層され、p型熱電酸化物を形成できるNi系合金または固溶体を含む第1電極層と、
前記第1電極層上に積層され、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Sc、Mg、Zn、V、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Ca、Na、Sb、Li、In、Sn、Al、Ni、CuおよびCoのうちから選択された少なくとも一つを含む第2電極層と、を含むことを特徴とするp型GaN半導体のオーム接触形成のための薄膜電極。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301R
4M104AA04
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB07
, 4M104BB13
, 4M104BB36
, 4M104BB38
, 4M104BB39
, 4M104DD34
, 4M104DD78
, 4M104FF13
, 4M104GG04
, 4M104HH15
, 5F041AA21
, 5F041CA40
, 5F041CA73
, 5F041CA84
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F041CA99
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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