半導体ウェハの高温処理系及び方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-311998
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154703
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】厚さの均一性、良好なギャップフィル性能、高密度、低水分を有する誘電膜を形成する高温堆積、加熱及び効率のよい洗浄のシステム、方法及び装置の提供。【解決手段】約100〜760torrの圧力のチャンバ内でシリコン、酸素及びドーパントの反応から少なくとも500°Cの温度のヒータ上の基板上に、ドーパント原子を含むドープ酸化シリコン膜を堆積させる工程;及び前記ドーパント原子を前記基板内に拡散させるために前記ドープ酸化シリコン膜を加熱して前記超薄ドープ領域を形成する工程を含むチャンバ内で基板の超薄ドープ領域を形成する方法を用いる。

請求項（抜粋）：

約10torr〜760torrの圧力の真空チャンバ内でヒータ上の基板を処理する方法であって、1種以上のプロセスガスを前記真空チャンバへ導入するステップ;前記真空チャンバ内で該基板上に誘電層を堆積させるステップ;及び前記真空チャンバ内で約500°Cより高い温度まで該ヒータを加熱するステップ:を含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , H01L 21/205 , H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/31 B , H01L 21/205 , H01L 21/76 L

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-068840 出願人：川崎製鉄株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-293069 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-318402 出願人：日本電装株式会社

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