特許
J-GLOBAL ID：200903034542881698

不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の内部動作方法

発明者：
小谷 信二

小谷 信二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 平戸 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-358307
公開番号（公開出願番号）：特開2000-182383
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】フラッシュメモリ等のような電気的消去及び書込み可能な不揮発性半導体記憶装置に関し、不揮発性メモリセルの書換え回数が所定値を越えたときは、書込み用高電圧及び消去用高電圧を高くして消去時間の高速化を図り、高速性能を維持することができるようにする。【解決手段】書換え用高電圧±VPPとして±9.75V又は±10.5Vを選択的に出力する高電圧生成回路24を設け、メモリセルアレイ部20の不揮発性メモリセルの書換え回数が所定値を越えるまでは、書換え用高電圧±VPPとして±9.75Vを出力させ、書換え回数が所定値を越えたときは、書換え用高電圧VPPとして±10.5Vを出力させる。書換え回数をスタックド・ゲート型MOSトランジスタでカウントする。
請求項（抜粋）：
電気的消去及び書込みが可能な不揮発性メモリセルを配列してなるメモリセルアレイ部を備える不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリセルアレイ部の不揮発性メモリセルの書換え回数が所定値以下のときは、第1の書込み用高電圧及び第1の消去用高電圧を前記メモリセルアレイ部の不揮発性メモリセルに供給し、前記メモリセルアレイ部の不揮発性メモリセルの書換え回数が前記所定値を越えたときは、電圧値を高くした第2の書込み用高電圧及び第2の消去用高電圧を前記メモリセルアレイ部の不揮発性メモリセルに供給する高電圧供給回路を備えていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
G11C 16/02 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
G11C 17/00 601 B ,  H01L 27/10 481 ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 612 E ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (32件)：
5B025AA03 ,  5B025AD04 ,  5B025AD08 ,  5B025AD10 ,  5B025AE01 ,  5B025AE08 ,  5F001AA01 ,  5F001AB08 ,  5F001AD12 ,  5F001AD44 ,  5F001AE02 ,  5F001AE03 ,  5F001AE08 ,  5F001AE30 ,  5F001AF07 ,  5F001AF10 ,  5F001AG40 ,  5F001AH07 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER09 ,  5F083ER14 ,  5F083ER16 ,  5F083ER22 ,  5F083ER30 ,  5F083GA01 ,  5F083GA17 ,  5F083GA21 ,  5F083LA10 ,  5F083ZA08
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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