特許
J-GLOBAL ID：200903027353030079
SOI基板およびそれを用いる表示装置ならびにSOI基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
原 謙三
, 木島 隆一
, 圓谷 徹
, 金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-243927
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087606
出願日： 2002年08月23日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】単結晶シリコン片6内に水素イオンを打込み、その単結晶シリコン片6を基板2に貼合わせた後、熱処理することで、前記水素イオンの打込み面で水素脆化させて単結晶シリコン薄膜を得るようにした、いわゆるスマートカット法を用いるSOI基板1において、低コスト化を図る。【解決手段】基板2に、室温から700°C程度の温度範囲で、熱膨張率が単結晶シリコン以上の非晶質無アルカリガラス基板を用い、単結晶シリコン片6の基板2への接着力を高める熱処理の温度が300°C程度でよいことから、前記単結晶シリコン片6の薄膜への分離も合わせて、最高温度が600°C程度で熱処理する。したがって、その熱処理の際に、基板2が下に凸方向に反り、単結晶シリコン片6の端から剥がれる力が反る方向と一致して、剥がれが起こらないようになる。これによって、低コストな高歪点無アルカリガラスを使用し、またスループットを向上することができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上に、水素イオンを注入した単結晶シリコン片を貼合わせ、前記単結晶シリコン片を前記水素イオンの打込み層で分断させて単結晶シリコン薄膜を形成するようにしたSOI基板において、
前記基板を、非晶質無アルカリガラス基板とすることを特徴とするSOI基板。
IPC (3件)：
H01L27/12
, H01L21/02
, H01L21/20
H01L27/12 B
, H01L21/02 B
, H01L21/20
5F052AA02
, 5F052BA07
, 5F052CA10
, 5F052DA02
, 5F052DB03
, 5F052EA15
, 5F052HA01
, 5F052JA01
, 5F052JA04
, 5F052KB05
