特許
J-GLOBAL ID：200903027434139130

GaN系のIII-V族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
郭 準 燮

郭 準 燮 について

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李 ▲きょう▼ 烈

李 ▲きょう▼ 烈 について

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趙 濟 ▲き▼

趙 濟 ▲き▼ について

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蔡 秀 ▲き▼

蔡 秀 ▲き▼ について


出願人/特許権者：
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-383523
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232003
出願日： 2001年12月17日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 GaN系のIII-V族窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 高抵抗性基板60を挟んで対向して備わった、または前記基板の上側に同じ方向に備わった第1及び第2電極、前記第1及び前記第2電極間に光放出のための物質層またはレージングのための物質層58を備えるが、前記第2電極64が前記高抵抗性基板のエッチングされた部分62を介して露出される前記物質層と接触した、または前記高抵抗性基板の底面上に前記物質層の露出された部分を覆う熱伝導層が形成されたことを特徴とする発光素子及びその製造方法。
請求項（抜粋）：
光放出が起こる活性層と、前記活性層を中心に対向して備わった第1電極と第2電極と、前記活性層と前記第1電極間に備わった第1化合物半導体層と、前記活性層と前記第2電極間に備わっているが、前記活性層を中心に前記第1化合物半導体層と対向して備わった第2化合物半導体層と、前記第1化合物半導体層の底面に備わった高抵抗性基板とを備え、前記高抵抗性基板は一部が除去されて前記第1化合物半導体層と前記第1電極とが互いに電気的に接触するように備わったことを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (14件)：
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15 ,  5F073AA45 ,  5F073AA61 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (13件)
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