磁気トンネル接合、磁気ランダムアクセスメモリ、渦磁化状態の形成方法および渦磁化状態の切り換え方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-219594
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041537
出願日： 2005年07月28日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】フリー層およびリファレンス層が渦磁化状態を有し、高密度用途および高速用途に適用することが可能なMRAMを提供する。【解決手段】自由な回転方向を伴う渦磁化状態を有する強磁性フリー層27に交換結合定数を低下させるためのドーパントが含まれていると共に、固定された回転方向を伴う渦磁化状態を有する強磁性ピンド層25(リファレンス層)に交換結合定数を低下させるためのドーパントが含まれている。磁化状態を切り換えるために形状異方性を利用していた従来の場合とは異なり、交換結合定数やMst(飽和磁束密度×厚さ)などに代表される磁性膜に固有な膜特性を利用して磁化状態が切り換えられるため、大きな保磁力が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁気ランダムアクセスメモリ中において第1の導電線と第2の導電線との間に配置されると共に長さおよび幅を有する磁気トンネル接合であって、 (a)交換結合定数を低下させるためのドーパントを含むと共に自由な回転方向を伴う渦磁化状態を有するフリー層と、 (b)交換結合定数を低下させるためのドーパントを含むと共に隣接された反強磁性層により固定された回転方向を伴う渦磁化状態を有するリファレンス層と、 (c)前記フリー層と前記リファレンス層との間に配置されたトンネルバリア層と、を備えたことを特徴とする磁気トンネル接合。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , H01F 10/16 , H01F 10/32 , H01L 43/10 , H01L 27/105 , H01L 21/824

FI (7件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 P , H01L43/08 Z , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L43/10 , H01L27/10 447

Fターム (10件)：

5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AC05 , 5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA09 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA60

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許第6654278号明細書
米国特許第6269018号明細書
米国特許公開公報2004/0021539

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審査官引用 (8件)

磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法、画像録画再生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-096118 出願人：キヤノン株式会社
磁気リングユニット及び磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-118198 出願人：学校法人慶應義塾
磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-007877 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (1件)

広辞苑, 19940912, 第四版, P.1565

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