結晶性半導体薄膜及びその作製方法並びに半導体装置及びその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199656
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035788
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜を形成するための技術を提供する。【解決手段】非晶質半導体薄膜に対して熱処理を行うことにより結晶性半導体薄膜102を得る。そして結晶性半導体薄膜102に対して紫外光又は赤外光を照射した後、還元雰囲気において900〜1200°Cの温度で熱処理を行う。この工程により結晶性半導体薄膜104の表面が著しく平坦化され、且つ、結晶粒界及び結晶粒内の欠陥が消滅して単結晶半導体薄膜又は実質的な単結晶半導体薄膜が得られる。

請求項（抜粋）：

炭素及び窒素の含有量が5×1018atoms/cm3以下且つ酸素の含有量が1.5×1019atoms/cm3以下であり、主たる配向面が{110}面であり、隣接する結晶粒の間では等価な軸又は等価な軸に対して70.5°の回転関係にある軸とがなす回転角の絶対値が4°以内であり、膜厚が5〜40nmであり、単結晶又は実質的に単結晶であることを特徴とする結晶性半導体薄膜。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 620 , H01L 29/78 627 G

Fターム (52件)：

5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BA07 , 5F052BB04 , 5F052BB05 , 5F052BB07 , 5F052CA08 , 5F052DA02 , 5F052DA10 , 5F052DB02 , 5F052EA11 , 5F052EA12 , 5F052EA13 , 5F052EA15 , 5F052EA16 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F110AA01 , 5F110AA18 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE09 , 5F110EE31 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110PP03 , 5F110PP06 , 5F110PP13 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP35 , 5F110PP38 , 5F110QQ11 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (9件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-117779 出願人：シャープ株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-329760 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-301250 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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引用文献：

審査官引用 (1件)

"Nickel induced crystallization of amorphous silicon thin films"

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