特許

J-GLOBAL ID：200903027974342880

薄膜半導体装置及びその製造方法と表示装置

発明者： 浅野 明彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-154105
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324425
出願日： 2006年06月02日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】レーザアニールでラテラル結晶成長を引き起し、均一な結晶構造の半導体薄膜を形成する。【解決手段】レーザアニールは、光反射・吸収層103のパターンより外側に位置する半導体薄膜105の外部領域108においてはその温度が半導体薄膜105の融点以下であり、光反射・吸収層103のパターンより内側に位置する半導体薄膜105の内部領域109においては該半導体薄膜105が融解するようにレーザ光でパルス加熱する加熱過程と、内部領域109が融解した後、外部領域108と内部領域109の境界から内側に向かって外部領域108の多結晶粒を核としてラテラル成長が進行し、内部領域109の少なくとも一部に一層拡大した多結晶粒Lが生成する冷却過程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上に光を反射及び吸収する光反射・吸収層を形成する光反射・吸収層形成工程と、 該光反射・吸収層を所定の形状にパターニングするパターニング工程と、 パターニングされた該光反射・吸収層を絶縁膜で覆う絶縁膜形成工程と、 該絶縁膜上に多結晶粒を含む半導体薄膜を形成する半導体薄膜形成工程と、 パルス発振されたレーザ光を照射し該半導体薄膜を結晶化するレーザアニール工程とを行う薄膜半導体装置の製造方法において、 前記レーザアニール工程が、該光反射・吸収層のパターンより外側に位置する該半導体薄膜の外部領域においてはその温度が該半導体薄膜の融点以下であり、該光反射・吸収層のパターンより内側に位置する該半導体薄膜の内部領域においては該半導体薄膜が融解するようにレーザ光でパルス加熱する加熱過程と、該内部領域が融解した後、該外部領域と内部領域の境界から内側に向かって該外部領域の多結晶粒を核としてラテラル成長が進行し、該内部領域の少なくとも一部に一層拡大した多結晶粒が生成する冷却過程とを含むことを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/13

FI (3件)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 627G ,  G02F1/13 505

Fターム (83件)：

2H088EA68 ,  2H088FA18 ,  2H088FA24 ,  2H088FA30 ,  2H088HA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG46 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP04 ,  5F110PP11 ,  5F110PP15 ,  5F110PP23 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ23 ,  5F152AA03 ,  5F152AA06 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CD02 ,  5F152CD03 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD17 ,  5F152CD24 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CE13 ,  5F152CE14 ,  5F152CE16 ,  5F152CE24 ,  5F152CE43 ,  5F152CE45 ,  5F152EE16 ,  5F152FF03 ,  5F152FF05 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF28 ,  5F152FF30 ,  5F152FF32 ,  5F152FF41 ,  5F152FF47 ,  5F152FG04 ,  5F152FG08 ,  5F152FG18 ,  5F152FG23 ,  5F152FH02 ,  5F152FH05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜トランジスタの作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-119031   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法と表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-275539   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-101156   出願人：セイコーエプソン株式会社, 三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-096228   出願人：セイコーエプソン株式会社, 三菱電機株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-233390   出願人：ソニー株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法、薄膜半導体装置、表示装置の製造方法、および表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-370128   出願人：ソニー株式会社