特許
J-GLOBAL ID:200903084657832795

半導体基板及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-076987
公開番号(公開出願番号):特開2007-258230
出願日: 2006年03月20日
公開日(公表日): 2007年10月04日
要約:
【課題】製造に必要な工程数が増加せず、かつGaN層の結晶性が向上した半導体基板を提供する。【解決手段】Si基材1上に形成された第1のAlaGabIn1-a-bNv(0≦a≦1、0≦b≦1、かつ0≦a+b≦1)層2と、第1のAlaGabIn1-a-bNv層2上に形成された第2のAlcGadIn1-c-dNw層3と、第2のAlcGadIn1-c-dNw層3上に位置し、第3のAleGafIn1-e-fNx(0≦e≦1、0≦f≦1、かつ0≦e+f≦1)層及び第4のAlgGahIn1-g-hNy(0≦g≦1、0≦h≦1、かつ0≦g+h≦1)層を交互に積層した多層膜4と、多層膜4上に形成された第5のAliGajIn1-i-jNz(0≦i≦1、0≦j≦1、かつ0≦i+j≦1)層5とを具備し、多層膜4における第3のAleGafIn1-e-fNx層と第4のAlgGahIn1-g-hNy層の積層数は160層以下である。ただし、v、w、x、y、zは正数である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
Si基材上に形成された第1のAlaGabIn1-a-bNv(0≦a≦1、0≦b≦1、かつ0≦a+b≦1)層と、 前記第1のAlaGabIn1-a-bNv層上に形成された第2のAlcGadIn1-c-dNw(0≦c≦1、0≦d≦1、かつ0≦c+d≦1)層と、 前記第2のAlcGadIn1-c-dNw層上に位置し、第3のAleGafIn1-e-fNx(0≦e≦1、0≦f≦1、かつ0≦e+f≦1)層及び第4のAlgGahIn1-g-hNy(0≦g≦1、0≦h≦1、かつ0≦g+h≦1)層を交互に積層した多層膜と、 前記多層膜上に形成された第5のAliGajIn1-i-jNz(0≦i≦1、0≦j≦1、かつ0≦i+j≦1)層と、 を具備し、前記多層膜における前記第3のAleGafIn1-e-fNx層と前記第4のAlgGahIn1-g-hNy層の積層数は160層以下であることを特徴とする半導体基板。 ただし、v、w、x、y、zは正数である。
IPC (4件):
H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (2件):
H01L21/205 ,  H01L29/80 H
Fターム (23件):
5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045CA07 ,  5F045DA52 ,  5F045DA57 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL16 ,  5F102GM04 ,  5F102GM10 ,  5F102GN04 ,  5F102GN10 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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