特許
J-GLOBAL ID：200903084657832795
半導体基板及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
柳瀬 睦肇
, 渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-076987
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258230
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】製造に必要な工程数が増加せず、かつGaN層の結晶性が向上した半導体基板を提供する。【解決手段】Si基材1上に形成された第1のAlaGabIn1-a-bNv(0≦a≦1、0≦b≦1、かつ0≦a+b≦1)層2と、第1のAlaGabIn1-a-bNv層2上に形成された第2のAlcGadIn1-c-dNw層3と、第2のAlcGadIn1-c-dNw層3上に位置し、第3のAleGafIn1-e-fNx(0≦e≦1、0≦f≦1、かつ0≦e+f≦1)層及び第4のAlgGahIn1-g-hNy(0≦g≦1、0≦h≦1、かつ0≦g+h≦1)層を交互に積層した多層膜4と、多層膜4上に形成された第5のAliGajIn1-i-jNz(0≦i≦1、0≦j≦1、かつ0≦i+j≦1)層5とを具備し、多層膜4における第3のAleGafIn1-e-fNx層と第4のAlgGahIn1-g-hNy層の積層数は160層以下である。ただし、v、w、x、y、zは正数である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si基材上に形成された第1のAlaGabIn1-a-bNv(0≦a≦1、0≦b≦1、かつ0≦a+b≦1)層と、
前記第1のAlaGabIn1-a-bNv層上に形成された第2のAlcGadIn1-c-dNw(0≦c≦1、0≦d≦1、かつ0≦c+d≦1)層と、
前記第2のAlcGadIn1-c-dNw層上に位置し、第3のAleGafIn1-e-fNx(0≦e≦1、0≦f≦1、かつ0≦e+f≦1)層及び第4のAlgGahIn1-g-hNy(0≦g≦1、0≦h≦1、かつ0≦g+h≦1)層を交互に積層した多層膜と、
前記多層膜上に形成された第5のAliGajIn1-i-jNz(0≦i≦1、0≦j≦1、かつ0≦i+j≦1)層と、
を具備し、前記多層膜における前記第3のAleGafIn1-e-fNx層と前記第4のAlgGahIn1-g-hNy層の積層数は160層以下であることを特徴とする半導体基板。
ただし、v、w、x、y、zは正数である。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F045AA04
, 5F045AB18
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD13
, 5F045AF03
, 5F045BB11
, 5F045CA07
, 5F045DA52
, 5F045DA57
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GL16
, 5F102GM04
, 5F102GM10
, 5F102GN04
, 5F102GN10
, 5F102GQ01
, 5F102HC01
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (5件)
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