特許
J-GLOBAL ID:200903028110227504
炭素膜被覆部材
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
波多野 久 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-235166
公開番号(公開出願番号):特開2003-231203
出願日: 2002年08月12日
公開日(公表日): 2003年08月19日
要約:
【要約】【課題】低摩耗性,耐摩耗性,耐食性に優れ、過酷な条件下で使用された場合においても剥離や発塵や劣化が少なく半導体製品に対して悪影響を及ぼすことが少なく、しかも耐久性に優れた炭素膜被覆部材を提供する。【解決手段】アモルファス炭素4から成るマトリックス中に金属および/または金属炭化物5を含有した被膜6を基材2表面の少なくとも一部に形成した炭素膜被覆部材1において、上記被膜を構成する金属(M)の炭素(C)に対する原子比(M/C)が0.01〜0.7の範囲であることを特徴とする炭素膜被覆部材1である。
請求項(抜粋):
アモルファス炭素から成るマトリックス中に金属および/または金属炭化物を含有した被膜を基材表面の少なくとも一部に形成した炭素膜被覆部材において、上記被膜を構成する金属(M)の炭素(C)に対する原子比(M/C)が0.01〜0.7の範囲であることを特徴とする炭素膜被覆部材。
IPC (3件):
B32B 9/00
, H01L 21/02
, H01L 21/68
FI (4件):
B32B 9/00 A
, H01L 21/02 B
, H01L 21/68 N
, H01L 21/68 V
Fターム (56件):
4F100AA12C
, 4F100AA12D
, 4F100AA15B
, 4F100AA15C
, 4F100AA15D
, 4F100AA16B
, 4F100AA37B
, 4F100AB01B
, 4F100AB01C
, 4F100AB01D
, 4F100AB04
, 4F100AB11A
, 4F100AB11B
, 4F100AB12B
, 4F100AB13B
, 4F100AB20B
, 4F100AD00A
, 4F100AD04C
, 4F100AD04D
, 4F100AD07B
, 4F100AD07C
, 4F100AD07D
, 4F100AD08B
, 4F100AD10C
, 4F100AD10D
, 4F100AD11B
, 4F100AG00A
, 4F100AT00A
, 4F100BA02
, 4F100BA03
, 4F100BA04
, 4F100BA05
, 4F100BA07
, 4F100BA10A
, 4F100BA10B
, 4F100BA13
, 4F100EH46B
, 4F100EH66B
, 4F100EJ15B
, 4F100EJ53B
, 4F100EJ61B
, 4F100GB41
, 4F100JA12B
, 4F100JA20B
, 4F100JB02
, 4F100JK06
, 4F100JK09
, 4F100JL00
, 4F100JM02B
, 4F100YY00B
, 5F031CA02
, 5F031CA05
, 5F031CA11
, 5F031DA01
, 5F031EA01
, 5F031PA26
引用特許:
審査官引用 (6件)
-
硬質炭素膜
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-142101
出願人:住友電気工業株式会社
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物品保持装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-043868
出願人:京セラ株式会社
-
ダイヤモンド状炭素膜を被覆した部材
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-375446
出願人:ティーディーケイ株式会社
-
ピストンリング
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-213527
出願人:帝国ピストンリング株式会社
-
電気用部材
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-227570
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
被膜作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-372446
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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