特許
J-GLOBAL ID：200903028133232564

金属ドープ層の形成方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者：
門永 健太郎

門永 健太郎 について

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戸根川 大和

戸根川 大和 について

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周 保華

周 保華 について

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長谷部 一秀

長谷部 一秀 について

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柴田 哲弥

柴田 哲弥 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-109613
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260151
出願日： 2008年04月18日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】金属ドープ層を形成するに際して、金属を低濃度の領域において制御性良くドープさせることができると共に、膜厚方向における金属の濃度分布を制御することが可能な金属ドープ層の形成方法を提供する。【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器4内で被処理体Wの表面に金属が含まれた金属ドープ層100を形成する金属ドープ層の形成方法において、絶縁層原料ガスを用いて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、金属を含む金属層原料ガスを用いて金属層104を形成する金属層形成工程とを、金属層形成工程が少なくとも1回含まれるように交互に繰り返し行うようにする。これにより、金属を低濃度の領域において制御性良くドープさせる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体の表面に金属が含まれた金属ドープ層を形成する金属ドープ層の形成方法において、 絶縁層原料ガスを用いて絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記金属を含む金属層原料ガスを用いて金属層を形成する金属層形成工程とを、前記金属層形成工程が少なくとも1回含まれるように交互に繰り返し行うようにしたことを特徴とする金属ドープ層の形成方法。
IPC (10件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/316
FI (8件)：
H01L21/318 B ,  H01L21/31 C ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/42 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/316 B
Fターム (72件)：
4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA29 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB40 ,  5F045AC05 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045BB04 ,  5F045CA05 ,  5F045DC57 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EE20 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EG01 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF36 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP48 ,  5F083EP49 ,  5F083EP50 ,  5F083GA21 ,  5F083JA04 ,  5F083PR21 ,  5F101BA45 ,  5F101BA54 ,  5F101BF02 ,  5F101BH02 ,  5F101BH05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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