ルテニウム電極と二酸化チタン誘電膜とを利用する半導体素子のキャパシタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：三好秀和 , 伊藤正和 , 原裕子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-272057
公開番号（公開出願番号）：特開2007-110111
出願日： 2006年10月03日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：

【課題】簡単な構造を持つ物質でありつつ高い誘電率を持つTiO2誘電膜を利用する半導体素子のキャパシタ及び低温工程が可能なその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板に形成されたRu下部電極と、Ru下部電極が酸化されて形成されたものであって、ルチル結晶構造を持つRuO2前処理膜と、RuO2前処理膜の結晶構造によってルチル結晶構造に形成され、不純物でドーピングされたTiO2誘電膜と、TiO2誘電膜上に形成された上部電極と、を備える半導体素子のキャパシタ。本発明による半導体素子のキャパシタ製造方法によれば、半導体基板にRu下部電極を形成した後、Ru下部電極の表面を酸化させてルチル結晶構造を持つRuO2前処理膜を形成する。RuO2前処理膜上にRuO2前処理膜の結晶構造に沿ってルチル結晶構造でTiO2誘電膜を形成しつつTiO2誘電膜に不純物をドーピングする。その後、TiO2誘電膜上に上部電極を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成されたRu下部電極と、前記Ru下部電極が酸化されて形成されたものであって、ルチル結晶構造を持つRuO2前処理膜と、前記RuO2前処理膜の結晶構造によってルチル結晶構造に形成され、不純物でドーピングされたTiO2誘電膜と、前記TiO2誘電膜上に形成された上部電極と、を備える半導体素子のキャパシタ。

IPC (3件)：

H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L27/10 651 , H01L27/10 621C , H01L21/316 X

Fターム (29件)：

5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BE10 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF37 , 5F058BH01 , 5F083AD15 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083AD56 , 5F083GA06 , 5F083GA27 , 5F083GA29 , 5F083JA02 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR39 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置および薄膜キャパシタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-168938 出願人：株式会社日立製作所
強誘電体キャパシタ用セラミック電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-295670 出願人：ソニー株式会社
キャパシタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-235034 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

全件表示

前のページに戻る