特許
J-GLOBAL ID：200903059597605935
強誘電体不揮発性メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-265043
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093030
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 セル面積の縮小化を可能にした強誘電体膜を強誘電体とする情報記憶用キャパシタを有する不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 強誘電体不揮発性メモリは、スイッチ用MOSトランジスタTr1、Tr2と強誘電体膜を有する電荷蓄積キャパシタCap1、Cap2とからなるメモリセルA、Bから構成されたセルアレイを具備している。第2のキャパシタCap2がプレート線14を介して第1のキャパシタCap1の上に形成されている。キャパシタを他のキャパシタに積層したのでメモリセル部分の面積を小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、ビット線にドレイン又はソースが接続された第1のスイッチ用トランジスタ、前記ビット線又は他のビット線にドレイン又はソースが接続された第2のスイッチ用トランジスタ、前記第1のトランジスタのソース又はドレインに接続された第1の電極及びプレート線に接続された第2の電極を有し強誘電体膜を誘電体とする第1の電荷蓄積キャパシタ並びに前記第2のトランジスタのソース又はドレインに接続された第1の電極及びプレート線に接続された第2の電極を有し強誘電体膜を誘電体とする第2の電荷蓄積キャパシタを備えてなるメモリセルアレイとを具備し、前記第1のキャパシタの上に前記第2のキャパシタが配置され、前記プレート線は前記第1及び第2のキャパシタのそれぞれの第2の電極を兼ねていることを特徴とする強誘電体不揮発性メモリ。
IPC (6件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
