特許
J-GLOBAL ID：200903028727628387

半導体装置の製造方法

発明者：
天田 春男

天田 春男 について

, 
江原 玄

江原 玄 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-222890
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054965
出願日： 2007年08月29日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】薄仕上げした半導体ウエハの反り量を低減しつつ、半導体ウエハに対して各種ウエハ処理を行うことのできる技術を提供する。【解決手段】ウエハ1の主面1Aからウエハ1の内部に不純物を導入および拡散させることによって素子を形成し、ウエハ1の主面1A上に絶縁膜および導電膜の形成およびパターニングを行った後に、基材2Aおよび紫外線硬化型粘着剤層2Bから形成された紫外線硬化型粘着テープ2をウエハ1の主面1Aに貼付する。その後、ウエハ1の裏面を研削し、ウエハ1を薄型化した後に、主面1Aが凸形状となる反りがウエハ1に生じている場合には、紫外線硬化型粘着テープ2に加熱処理を施し、紫外線硬化型粘着テープ2を熱収縮させてウエハ1の反りを矯正する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの第1の主面に半導体素子を形成する第1の工程と、 前記第1の工程後、前記半導体ウエハの前記第1の主面に、収縮変形する剥離可能な支持体を貼付する第2の工程と、 前記支持体が前記半導体ウエハの前記第1の主面に貼付された状況下において、前記半導体ウエハを前記第1の主面とは反対の第2の主面から薄型化する第3の工程と、 前記第3の工程後、前記半導体ウエハの前記第2の主面に前記半導体素子と電気的に接続する電極を付加する処理を行なう第4の工程と、 前記第4の工程後、前記第2の工程にて前記半導体ウエハの前記第1の主面に貼付した前記支持体を剥離する第5の工程とを有し、 前記支持体を収縮変形させて前記半導体ウエハの反り量を第1の量以下にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/683 ,  H01L 21/02
FI (2件)：
H01L21/68 N ,  H01L21/02 C
Fターム (8件)：
5F031CA02 ,  5F031DA15 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031HA78 ,  5F031MA22 ,  5F031MA31 ,  5F031PA13
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM