特許

J-GLOBAL ID：200903028766265607

パワー半導体モジュール

発明者： 八木 雄二 ,  山田 靖 ,  渥美 貴司 ,  中川 郁朗 ,  白井 幹夫 ,  石田 清仁 ,  大沼 郁雄 ,  高久 佳和
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-108311
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270353
出願日： 2007年04月17日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：

【課題】クラックや亀裂などの不具合を発生させ難いパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】2つの部品の間を、Bi系はんだ材料により接合してなるパワー半導体モジュールであって、前記2つの部品のBi系はんだ材による被接合面にCu層を備える。被接合部品である上記2つの部品は、半導体素子20と絶縁部30、又は絶縁部30と放熱板40の組み合わせである。絶縁部は、Cu34/SiNx32/Cu36の積層体で構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Cu層を表面に備えたパワー半導体素子と、SiNxセラミックス板の両面にCu層を備えたCu/SiNx/Cu積層体の絶縁部と、を有し、 前記パワー半導体素子と前記絶縁部とをそれぞれのCu層が対向するように配して、2つのCu層の間をBi系はんだ材料で接合してなるパワー半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/40

FI (2件)：

H01L25/04 C ,  H01L23/40 F

Fターム (4件)：

5F136BB18 ,  5F136DA27 ,  5F136EA41 ,  5F136EA61

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 電子部品およびソルダペースト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-298352   出願人：株式会社村田製作所
• はんだ組成物およびはんだ付け物品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-175757   出願人：株式会社村田製作所

審査官引用 (4件)

• 半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-126106   出願人：石田清仁, 株式会社豊田中央研究所
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-137494   出願人：株式会社豊田自動織機
• セラミックス回路基板およびそれを用いた半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-040920   出願人：日立金属株式会社
• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-250622   出願人：株式会社豊田中央研究所, 国立大学法人東北大学

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 半導体パワーモジュール