特許
J-GLOBAL ID：200903028815262155
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-314988
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124625
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【目的】 複数の半導体素子が積層されたMCP構造を有する半導体装置において、略同一形状を有する複数の半導体素子が実装されたMCP構造の半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体装置は、表面及び裏面を有する配線基板22と、少なくとも表面に形成される配線23と、配線基板22に形成され、表面から裏面に至る開口部11と、第1の電極8aが形成された第1の面と、その第1の面に対向する第2の面とを有し、開口部11内に配置される第2の面を有する第1の半導体素子6aと、第1の電極8aと配線23とを接続する第1の導体である金属細線9と、第1の半導体素子6aと金属細線9とを封止するとともに、第1の半導体素子6aを配線基板22に固着する封止体10と、第2の面上に固定されるとともに、第2の面と固定される第3の面、及び第3の面に対向する第4の面を有し、第4の面には、外部との接続を行なう第2の電極8bが形成され、かつ、第1の半導体素子6aと略同一形状を有する第2の半導体素子6bとから構成される。
請求項（抜粋）：
第1の面を有する第1の基板、及び前記第1の面上に配置される第2の基板とからなる配線基板と、前記第1の面より前記第1の基板に形成される凹部と、前記凹部に対応する前記第2の基板に設けられ、前記凹部に対応する領域よりも広い領域に形成される開口部と、前記凹部内に配置されるとともに、前記配線基板に形成された配線パターンに電気的に接続される第1の電極を有する第1の半導体素子と、一部分が前記開口部内の前記第1の面上に配置される第2の半導体素子とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
H01L 25/08 Z
, H01L 23/12 N
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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