特許
J-GLOBAL ID：200903028926763960
半導体装置およびはんだバンプの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232534
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074312
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 BGA基板の配線と半導体チップの電極とのあいだで電気的な接続を熱処理工程後も保ちうるはんだバンプの形成方法およびその方法を用いて製造される半導体装置を提供する。【解決手段】 複数の配線が設けられた多層構造のBGA基板と、複数のはんだバンプを用いて複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップとを含んでなる半導体装置であって、前記半導体チップの周縁部に設けられるはんだバンプの大きさが、前記半導体チップの中央部に設けられるはんだバンプの大きさより大きいものである。
請求項（抜粋）：
複数の配線が設けられた多層構造のBGA基板と、複数のはんだバンプを用いて複数の配線にそれぞれ接続される複数の電極を有する半導体チップとを含んでなる半導体装置であって、前記半導体チップの周縁部に設けられるはんだバンプの大きさが、前記半導体チップの中央部に設けられるはんだバンプの大きさより大きい半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/12
, H01L 21/60
H01L 21/60 311 S
, H01L 23/12 L
, H01L 21/92 602 Q
