特許
J-GLOBAL ID：200903028936958459
シリコンエピタキシャルウェーハ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-016663
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218120
出願日： 2002年01月25日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】優れたIG能力をウェーハ全面に有するシリコンエピタキシャルウェーハ、及びその製造方法を提供する。【解決手段】優れたゲッタリング能力をウェーハ全面に有するシリコンエピタキシャルウェーハであって、エピタキシャル成長後のシリコン単結晶基板内部に検出される酸素析出物の密度が、ウェーハ面内の何れの位置においても、1×109/cm3以上であるようにした。
請求項（抜粋）：
優れたゲッタリング能力をウェーハ全面に有するシリコンエピタキシャルウェーハであって、エピタキシャル成長後のシリコン単結晶基板内部に検出される酸素析出物の密度が、ウェーハ面内の何れの位置においても、1×109/cm3以上であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
引用特許：
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