半導体エピタキシャル結晶基板の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-154709
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098603
出願日： 2007年06月12日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】低いゲートリーク電流と無視しうるほど小さなゲートラグ、ドレインラグ、電流コラプス特性を有する、誘電体膜付きの窒化ガリウム系半導体エピタキシャル結晶基板を提供することにある。【解決手段】エピタキシャル成長炉内で下地基板1上にエピタキシャル法によってバッファ層2、チャネル層3、及び電子供給層4を成長後、該エピタキシャル成長炉内で電子供給層4に続けてMOCVD法によりアモルファス結晶形を有する誘電体層(誘電体膜)5を成長する。誘電体層5は、エピタキシャル成長炉内に3族原料ガスを導入し、酸素原料を導入しながらMOCVD法によりAlN誘電体層を積層して誘電体層5とするほか、MOCVD法にて成長できる誘電体であれば制限無く使用して、誘電体層5を形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機金属気相成長法にて成長した窒化物半導体結晶層表面に、パッシベーション膜あるいはゲート絶縁膜となるアモルファス結晶形を有する窒化物誘電体もしくは酸化物誘電体の誘電体層が付与された半導体エピタキシャル結晶基板の製造方法であって、エピタキシャル成長炉内で前記窒化物半導体結晶層を成長させた後、そのまま該エピタキシャル成長炉内で前記誘電体層を前記窒化物半導体結晶層に連続して形成することを特徴とする半導体エピタキシャル結晶基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , H01L 21/205 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (3件)：

H01L21/316 X , H01L21/205 , H01L29/80 H

Fターム (28件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AF02 , 5F045CA05 , 5F045HA22 , 5F058BC03 , 5F058BC09 , 5F058BD05 , 5F058BD12 , 5F058BF06 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BJ01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GR01 , 5F102GV05 , 5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (7件)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-078380 出願人：古河電気工業株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-267299 出願人：日本碍子株式会社
半導体成長用基板および半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-374976 出願人：株式会社トクヤマ

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