半導体装置及びリチウムイオン電池パック

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-371169
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176108
出願日： 2000年12月06日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】保護回路のスイッチ回路を単一のMOSデバイスとすることにより小型にすると共に実装コストを低下させる。【解決手段】 P型シリコン基板30にドレインとなるN型ウエル拡散層32が形成されており、そのウエル拡散層32内に互いに分離した2つのP型拡散層34aと34bが形成されている。各P型拡散層34a,34b内にはそれぞれソースとなるN型拡散層36a,36bが形成され、ウエル拡散層32とそれぞれのソース拡散層36a,36bの間のP型拡散層領域34a,34bがチャネル領域38a,38bとなっている。各チャネル領域38a,38b上にはゲート絶縁膜を介してそれぞれのゲート電極40a,40bが形成されて、ドレイン拡散層を共通とする2つのNチャネルDMOSトランジスタが構成されている。2つのP型拡散層34a,34bの間の耐圧が低下するのを防ぐために、P型拡散層34a,34b間に高濃度のN型拡散層33が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板のドレインとなるN型ウエル拡散層内に互いに分離した2つのP型拡散層が形成され、前記各P型拡散層内にそれぞれソースとなるN型拡散層が形成されて、それぞれのソース拡散層と前記ウエル拡散層との間の前記P型拡散層領域をチャネル領域としており、各チャネル領域上にはゲート絶縁膜を介して互いに分離されたそれぞれのゲート電極が形成されて、ドレイン拡散層を共通とする2つのNチャネルDMOSトランジスタが構成されているMOSデバイスを備えた半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01M 2/10 , H01M 10/44 , H02J 7/00

FI (5件)：

H01M 2/10 E , H01M 10/44 P , H02J 7/00 S , H01L 27/08 102 B , H01L 27/04 H

Fターム (31件)：

5F038BH04 , 5F038BH06 , 5F038BH07 , 5F038BH15 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BC03 , 5F048BC05 , 5F048BC07 , 5F048BE03 , 5F048BG12 , 5G003AA01 , 5G003BA01 , 5G003DA13 , 5G003FA04 , 5G003GA01 , 5G003GC06 , 5H030AA03 , 5H030AA04 , 5H030AS06 , 5H030BB01 , 5H030BB21 , 5H040AA40 , 5H040AS13 , 5H040AS14 , 5H040DD10

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-154246 出願人：三洋電機株式会社
接合分離型集積回路における寄生悪影響に対する保護
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-126242 出願人：エスティーマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
バッテリパックの状態検出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-237290 出願人：ソニー株式会社

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