特許
J-GLOBAL ID：200903029324075538
半導体装置およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-044675
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312007
出願日： 2000年02月22日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 動作性能および信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】 駆動回路を形成するnチャネル型TFT802にはゲート配線に重なるLDD領域707が配置され、ホットキャリア注入に強いTFT構造が実現される。また、画素部を形成するnチャネル型TFT804にはゲート配線に重ならないLDD領域717〜720が配置され、オフ電流値の小さいTFT構造が実現される。この時、LDD領域707にはLDD領域717〜720よりも高い濃度で周期表の15族に属する元素が存在する。
請求項（抜粋）：
同一基板上に画素部と駆動回路とを含む半導体装置において、前記駆動回路を形成するnチャネル型TFTのLDD領域は、一部または全部が該nチャネル型TFTのゲート配線にゲート絶縁膜を挟んで重なるように形成され、前記画素部を形成する画素TFTのLDD領域は、該画素TFTのゲート配線にゲート絶縁膜を挟んで重ならないように形成されることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365
H01L 29/78 616 A
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365 Z
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 616 M
