特許
J-GLOBAL ID:200903029342829388

半導体素子を形成する半導体素子及び方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中村 稔 (外9名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-128026
公開番号(公開出願番号):特開2002-359397
出願日: 2002年04月30日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】 半導体物質のドーピングレベルを上げる。【解決手段】 p型ドーパントでドープされた少なくとも一つのIII-V族領域を含む半導体物質であって、p型ドーパントは第1のp型ドーパント及び少なくとも一つの第2のp型ドーパント及び不純物を含み、第1のp型ドーパントは、第1のp型ドーパントによってもたらされる、少なくとも一つのIII-V族領域での局所的応力が、少なくとも一つの第2のp型ドーパント及び不純物によってもたらされる、少なくとも一つのIII-V族領域での局所的応力によって補償されるように、そして、少なくとも一つのIII-V族領域での、第1のp型ドーパントの密度が高められるように、各第2のp型ドーパント及び不純物の原子半径とサイズが異なった原子半径を持つ、半導体物質。
請求項(抜粋):
p型ドーパントでドープされた少なくとも一つのIII-V族領域を含む半導体物質であって、上記p型ドーパントは第1のp型ドーパント及び少なくとも一つの第2のp型ドーパント及び不純物を含み、上記第1のp型ドーパントは、上記第1のp型ドーパントによってもたらされる、上記少なくとも一つのIII-V族領域での局所的応力が、上記少なくとも一つの上記第2のp型ドーパント及び上記不純物によってもたらされる、上記少なくとも一つのIII-V族領域での局所的応力によって補償されるように、そして、上記少なくとも一つのIII-V族領域での、上記第1のp型ドーパントの密度が高められるように、各上記第2のp型ドーパント及び上記不純物の原子半径とサイズが異なった原子半径を持つ、半導体物質。
Fターム (6件):
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA57
引用特許:
審査官引用 (7件)
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