特許
J-GLOBAL ID：200903029559617346

窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
長濱 慎一

長濱 慎一 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016951
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216502
出願日： 1999年01月26日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【目的】共振器方向とレーザ出射面との間のずれをなくし、歩留を向上させ、良好なレーザ素子を得る。【構成】あらかじめ第1のオリフラ面が設けられている基板平面上に、素子構造となる窒化物半導体を積層させる前に、前記基板を、劈開することにより、第2のオリフラ面を少なくとも1つ形成する。
請求項（抜粋）：
あらかじめ第1のオリフラ面が設けられている基板平面上に気相成長法を用いて窒化物半導体をエピタキシャル成長させる窒化物半導体素子の製造方法において、素子構造となる窒化物半導体を積層させる前に、前記基板を、劈開することにより、第2のオリフラ面を少なくとも1つ形成することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 677 ,  H01L 33/00 C
Fターム (18件)：
5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CB04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA32 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (13件)
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