特許
J-GLOBAL ID:200903029569544827
不揮発性半導体記憶装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (6件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-338545
公開番号(公開出願番号):特開2005-108303
出願日: 2003年09月29日
公開日(公表日): 2005年04月21日
要約:
【課題】チップサイズの増大を招くことなく、メモリセルアレイ中の任意のメモリブロックを高い自由度で2値モードまたは多値モードで選択的に動作させることができる不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的としている。【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルアレイ1、インターフェイス6,7、及び書き込み回路2,3,4,5,8を備えている。この書き込み回路は、インターフェイスに入力されるデータ書き込み命令に従って、第1の書き込み手順または第2の書き込み手順で選択的に前記メモリセルアレイ中にデータを書き込み可能であり、前記インターフェイスから前記第1の書き込み手順によるデータ書き込み命令が入力されたときに、前記フラグデータが第1の値のときに前記命令を履行し、第2の値のときに前記命令を履行しないことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
電気的に書き換え可能な不揮発性半導体メモリセルを有する複数のメモリブロックから構成されるメモリセルアレイと、
外部との通信を行うインターフェイスと、
前記インターフェイスに入力されるデータ書き込み命令に従って、第1の書き込み手順または第2の書き込み手順で前記メモリセルアレイ中にデータを書き込む書き込み回路とを備え、
前記書き込み回路は、前記インターフェイスから前記第1の書き込み手順によるデータ書き込み命令が入力された場合に、当該書き込み命令によって書き込みの対象となるブロック中のメモリセルに書き込まれているフラグデータが第1の値のときに前記書き込み命令を履行し、前記フラグデータが第2の値のときに前記書き込み命令を履行しない
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件):
FI (4件):
G11C17/00 641
, G11C17/00 601E
, G11C17/00 611Z
, G11C17/00 612Z
Fターム (6件):
5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD03
, 5B025AD04
, 5B025AD08
引用特許: