特許
J-GLOBAL ID：200903096844641071
可変容量半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-010442
公開番号（公開出願番号）：特開2001-202788
出願日： 2000年01月19日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 メモリ領域の効率的な使用を実現し、製造コストを抑制することができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 フラッシュメモリは、データを電気的に記憶するセルをマトリクス上に配してなるメモリセルアレイ11を有し、メモリセルアレイ11を複数のブロック領域に分割し、各ブロック領域を4値によるデータ記録を行なう4値領域又は2値によるデータ記録を行なう2値領域に設定する。メモリセルに対するアクセス(データの書き込み/読み出し)時においては、アクセスするデータが2値であるか4値であるかに応じて、書き込み時のワード線電圧または読み出し時のセンスアンプを切り替える。
請求項（抜粋）：
電気的にデータの書き込み、読み出しが可能な不揮発性半導体記憶装置において、データを記録する領域を複数の領域に分割し、該分割した各領域を2値データを記録する2値領域又は多値データを記録する多値領域に設定したメモリセルアレイと、メモリセルアレイのワード線の駆動電圧を供給するワード線駆動手段と、前記ワード線駆動手段の出力電圧を制御する電圧制御手段と、データの記録を2値で行なうか多値で行なうかに応じて、上記ワード線駆動手段の出力電圧が切り替わるように前記電圧制御手段を制御する2値/多値制御手段とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C 17/00 633 D
, G11C 17/00 613
, G11C 17/00 634 C
5B025AA03
, 5B025AD03
, 5B025AD06
, 5B025AE00
, 5B025AE05
