特許
J-GLOBAL ID：200903029853898795

マイクロベンチとその製造方法及びそれを用いた光半導体モジュール

発明者：
田遠 伸好

田遠 伸好 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小松 秀岳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003578
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196607
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 高S/N比、高速、低コストな半導体モジュールを実現するためのマイクロベンチを製造、供給することを目的とする。【解決手段】 比抵抗が109Ω・cm以上であり、比誘電率が15以下の特性を有するセラミックスからなる基板であって、その表面に光ファイバーを搭載する溝が設けられ、該溝の突き当たり部には光半導体が搭載される半導体素子搭載部があり、該半導体素子搭載部には半導体搭載用の位置合わせマークが設けられていることを特徴とする光ファイバー搭載に用いるマイクロベンチである。前記セラミックスはAlNもしくはAlNを主成分とするものである。
請求項（抜粋）：
比抵抗が109Ω・cm以上であり、比誘電率が15以下の特性を有するセラミックスからなる基板であって、その表面に光ファイバーを搭載する溝が設けられ、該溝の突き当たり部には光半導体が搭載される半導体素子搭載部があり、該半導体素子搭載部には半導体搭載用の位置合わせマークが設けられていることを特徴とする光ファイバー搭載に用いるマイクロベンチ。
IPC (5件)：
H01L 31/0232 ,  B28B 11/00 ,  C04B 35/581 ,  G02B 6/42 ,  H01S 5/022
FI (5件)：
G02B 6/42 ,  H01S 5/022 ,  H01L 31/02 C ,  B28B 11/00 Z ,  C04B 35/58 104 Y
Fターム (31件)：
2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA11 ,  2H037DA12 ,  4G001BA36 ,  4G001BB36 ,  4G001BC71 ,  4G001BD03 ,  4G001BD23 ,  4G001BD36 ,  4G055AA08 ,  4G055AC01 ,  4G055BA83 ,  5F073AA64 ,  5F073AB21 ,  5F073DA35 ,  5F073EA14 ,  5F073EA27 ,  5F073FA07 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073FA23 ,  5F088AA01 ,  5F088BA02 ,  5F088BA03 ,  5F088EA06 ,  5F088JA01 ,  5F088JA03 ,  5F088JA14
引用特許：
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM