特許
J-GLOBAL ID：200903029966685925
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-240656
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060035
出願日： 2004年08月20日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 光学利得の制御が可能でかつ設計自由度の大きい、量子ドットを用いた半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板(1)上に少なくとも複数の活性層(4)又は複数の光導波路層が形成されてなる半導体装置において、前記活性層(4)又は光導波路層は量子ナノ構造(100)を含んでおり、前記量子ナノ構造(100)の高さが、光の導波方向に対して垂直でかつ前記半導体基板(1)に平行な方向に段階的に又は周期的に変化していることを特徴とする。あるいは、前記量子ナノ構造(100)の高さが光の導波方向に沿って段階的に又は周期的に変化していることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に少なくとも複数の活性層又は複数の光導波路層が形成されてなる半導体装置において、前記活性層又は光導波路層は量子ナノ構造を含んでおり、前記量子ナノ構造の高さが、光の導波方向に対して垂直でかつ前記半導体基板に平行な方向に段階的に又は周期的に変化していることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
5F173AA27
, 5F173AB65
, 5F173AD02
, 5F173AF04
, 5F173AF08
, 5F173AF12
, 5F173AF84
, 5F173AH14
, 5F173AP12
, 5F173AP20
, 5F173AP82
, 5F173AR06
, 5F173AR07
, 5F173AS01
, 5F173SA33
, 5F173SC02
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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