特許

J-GLOBAL ID：200903030066603514

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  荒井 康行
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133607
公開番号（公開出願番号）：特開2002-014628
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上の半導体膜と、前記半導体膜上の第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース配線と前記半導体膜とを接続する接続電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

G09F 9/30 338 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14

FI (7件)：

G09F 9/30 338 ,  G02F 1/1368 ,  H05B 33/14 A ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 619 A

Fターム (95件)：

2H092GA59 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB69 ,  2H092KA11 ,  2H092KA18 ,  2H092NA07 ,  2H092NA27 ,  3K007AB02 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  5C094AA10 ,  5C094BA03 ,  5C094BA29 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EB02 ,  5C094EB05 ,  5C094HA02 ,  5C094HA03 ,  5C094HA06 ,  5C094HA07 ,  5C094HA08 ,  5F110AA16 ,  5F110AA21 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE33 ,  5F110EE37 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN44 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平4-313729
  
• 薄膜電界効果型トランジスタアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-112568   出願人：日本電気株式会社
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-330711   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 液晶表示素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-024953   出願人：シャープ株式会社, イギリス国
• 液晶表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-026992   出願人：日本電気株式会社
• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-028706   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-352962   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-177454   出願人：セイコーエプソン株式会社