特許

J-GLOBAL ID：200903030317219620

半導体装置およびその製造方法

発明者： 古澤 健志 ,  三浦 典子 ,  後藤 欣哉 ,  松浦 正純
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大阿久 敦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-199709
公開番号（公開出願番号）：特開2006-024641
出願日： 2004年07月06日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：

【課題】 有機シロキサン系絶縁膜を用いて電気的特性に優れた半導体装置を製造する方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の上に形成された多層配線構造を備える半導体装置において、この多層配線構造は、比誘電率が3.1以下で硬度が2.7GPa以上である有機シロキサン系絶縁膜を少なくとも一部に備えた層間絶縁膜を有する。また、この有機シロキサン系絶縁膜は、(炭素原子数/珪素原子数)の比が0.5以上1.0以下である。さらに、この多層配線構造は、有機シロキサン系絶縁膜から炭素が抜けて(炭素原子数/珪素原子数)の比が0.1以下になった絶縁層を有機シロキサン系絶縁膜の上面に有することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に形成された多層配線構造を備える半導体装置において、 前記多層配線構造は、比誘電率が3.1以下で硬度が2.7GPa以上である有機シロキサン系絶縁膜を少なくとも一部に備える層間絶縁膜を有しており、該有機シロキサン系絶縁膜は、(炭素原子数/珪素原子数)の比が0.5以上1.0以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L21/90 J ,  H01L21/316 X

Fターム (36件)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW02 ,  5F033XX10 ,  5F033XX24 ,  5F058AC03 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF36 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体基板上のシリコン重合体絶縁膜及びその膜を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-160726   出願人：日本エー・エス・エム株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-013895   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置の配線構造及びその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-074491   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 低誘電率層間絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-008476   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-197279   出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
• 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-226876   出願人：株式会社日立製作所
• 絶縁膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-029302   出願人：日本エー・エス・エム株式会社