レジストパターン薄肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：廣田浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-017019
公開番号（公開出願番号）：特開2003-215814
出願日： 2002年01月25日
公開日（公表日）： 2003年07月30日
要約：

【要約】【課題】レジストパターンを薄肉化可能な材料等の提供。【解決手段】水溶性樹脂及びアルカリ可溶性樹脂選択される少なくとも1種を含有するレジストパターン薄肉化材料。形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、該レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成することを含むレジストパターンの製造方法。下地層上に形成したレジストパターンの表面を覆うように該レジストパターン薄肉化材料を塗布し、レジストパターンの表面に該レジストパターン薄肉化材料とのミキシング層を形成し現像処理し、薄肉化したレジストパターンを形成する工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

水溶性樹脂及びアルカリ可溶性樹脂から選択される少なくとも1種を含有することを特徴とするレジストパターン薄肉化材料。

IPC (3件)：

G03F 7/40 511 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (3件)：

G03F 7/40 511 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/302 H

Fターム (6件)：

2H096AA25 , 2H096HA05 , 2H096HA07 , 5F004DB02 , 5F004DB17 , 5F004EA01

引用特許：

審査官引用 (10件)

レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-098586 出願人：ジェイエスアール株式会社
パターン形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-201611 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-062047 出願人：三菱電機株式会社

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