液晶表示パネルの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-229046
公開番号（公開出願番号）：特開2001-051301
出願日： 1999年08月13日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】大面積で高画質のモノシリック液晶表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板10上に保護膜11と非晶質シリコン膜12とを順に形成し、画素部形成予定領域4aには紫外線ランプ20により紫外線Uを照射してアニールし、水平走査部形成予定領域2aおよび垂直走査部形成予定領域3aにはそれぞれエキシマレーザLを一括照射してアニールする。これらの工程により得られた多結晶シリコン膜4bは結晶粒が均一となり、多結晶シリコン膜2b,3bは大きな結晶粒となる。これらの領域にそれぞれ薄膜トランジスタを形成することによって、大面積で高画質のモノシリック液晶表示パネルを製造することができる。

請求項（抜粋）：

基板上の多結晶半導体膜に、表示部と、水平走査部および垂直走査部を含む周辺回路部とが形成されてなる液晶表示パネルの製造方法において、前記基板上の各部に対応する領域に非多結晶半導体膜を形成する工程と、前記非多結晶半導体膜のうち、少なくとも前記周辺回路部のうちの水平走査部に対応する領域にレーザビーム照射によるアニールを施して多結晶化する工程と、前記非多結晶半導体膜のうち前記レーザビームが照射される領域以外の領域にランプ光によるアニールを施して多結晶化する工程とを含むことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。

IPC (5件)：

G02F 1/1365 , G02F 1/1345 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1345 , H01L 21/20 , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G

Fターム (55件)：

2H092JA25 , 2H092JB13 , 2H092JB57 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KB24 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA30 , 2H092MA32 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092NA24 , 2H092NA25 , 2H092PA06 , 2H092QA07 , 5F052AA02 , 5F052AA24 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052CA04 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052DA10 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA12 , 5F052EA15 , 5F052JA01 , 5F110AA17 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG13 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110PP02 , 5F110PP04 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP35

引用特許：

審査官引用 (10件)

駆動回路一体型アクテイブマトリクスアレイの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-196332 出願人：日本電気株式会社
特開平4-290443
液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-211248 出願人：株式会社日立製作所

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